特許
J-GLOBAL ID：201103051384327513

磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記憶装置

発明者：
大野 俊典

大野 俊典 について

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小角 雄一

小角 雄一 について

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本田 好範

本田 好範 について


出願人/特許権者：
株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ

株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060373
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260020
特許番号：特許第4344416号
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体上に磁性膜と前記磁性膜を保護する炭素を主成分とする保護膜とを設けた磁気記録媒体において、 磁気ヘッドの起動または停止時に前記磁気ヘッドと接触する前記保護膜の接触部分が、主に炭素と水素からなるダイヤモンドライク(DLC)層と、主に炭素、または炭素と窒素、または炭素と窒素と水素からなるアモルフアスカーボン層と、から構成されており、 前記接触部分以外の前記保護膜の部分が、主に炭素、または炭素と窒素、または炭素と窒素と水素からなるアモルフアスカーボン層で構成されており、 磁気ヘッドの起動または停止時に前記磁気ヘッドと接触する部分以外の前記保護膜の部分の膜厚が10nm以下であり、磁気ヘッドの起動または停止時に前記磁気ヘッドと接触する部分の前記保護膜の部分の膜厚が前記接触部分以外の前記保護膜の部分よりも厚くかつ20nm以下であり、 前記接触部分の前記保護膜の膜厚をA、前記接触部分以外の前記保護膜の膜厚をBとしたとき、A/B>1.15を満たし、 イオンビームデポジション法により、前記接触部分の炭素と水素からなるDLC層を、蒸着粒子遮蔽物を具備して成膜することで、前記膜厚Aの90%に相当する膜厚をあたえる膜厚減少方向の端の半径位置をRlmm、前記膜厚Bの110%に相当する膜厚をあたえる膜厚増加方向の端の半径位置をR2mmとしたとき、|R2-Rl|<5mmを満たし、さらに、前記接触部分の前記保護膜と前記接触部分以外の前記保護膜の境界における前記保護膜の半径方向の膜厚変化率が、前記接触部分以外の前記保護膜における半径方向の膜厚変化率よりも大きく、その値が1.0nm/mm以上である前記保護膜を形成する ことを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (7件)：
G11B 5/84 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/22 ( 200 6.01) ,  G11B 5/72 ( 200 6.01) ,  G11B 5/82 ( 200 6.01) ,  H01F 41/14 ( 200 6.01) ,  H01F 10/14 ( 200 6.01)
FI (7件)：
G11B 5/84 B ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/22 B ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/82 ,  H01F 41/14 ,  H01F 10/14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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