特許

J-GLOBAL ID：201103051572275539

II-VI族化合物半導体結晶及び熱処理方法

発明者： 並川 靖生
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 萩原 亮一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161187
特許番号：特許第3065078号
出願日： 1999年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 熱処理により結晶中にAlを拡散してなるZnSe結晶、Zn1-X AX Se(AはII族元素、0<x≦0.2)で表される混晶、及び、ZnBy Se1-y (BはVI族元素、0<y≦0.2)で表される混晶の群から選択されるII-VI 族化合物半導体結晶において、前記熱処理終了時に前記結晶の表面及び表面から1μm以内の、平均Al濃度及び局所Al濃度がともに4×1021cm-3以下であり、かつ表面から2μm以上、200μm以下の深さの領域で、平均Al濃度及び局所Al濃度がともに1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下であることを特徴とするII-VI 族化合物半導体結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/48 ,  C30B 31/02 ,  H01L 21/385

FI (3件)：

C30B 29/48 ,  C30B 31/02 ,  H01L 21/385