特許

J-GLOBAL ID：201103051647278202

化合物半導体素子の製造方法

発明者： 石黒 永孝 ,  松田 俊夫 ,  古池 進
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-155326
公開番号（公開出願番号）：特開平3-020090
特許番号：特許第2543190号
出願日： 1989年06月16日
公開日（公表日）： 1991年01月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】金属電極を部分的に形成してなる化合物半導体素子の表面より、前記金属電極上部を含んで抵抗率の大なるシリコンを薄膜形成し、前記金属電極部においては前記シリコンと前記金属電極とを合金化させることにより低抵抗化をなし、かつ、前記金属電極部以外の前記化合物半導体素子表面は高抵抗の前記シリコンで覆うことを特徴とした化合物半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/283 W ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 B 7376-4M ,  H01L 31/10 H