III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090718
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286447
特許番号：特許第3567790号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】III族窒化物系化合物半導体から成る層が基板上に積層され、p型のAlxGa1-xN(0<x<1)より成るp型クラッド層を有する半導体発光素子において、前記p型クラッド層よりもアルミニウム(Al)組成比の低い、p型のAlyGa1-yN(0.2x≦y≦0.7x且つ0.02≦y≦0.12)より成り、膜厚500Å以上800Å以下のp型コンタクト層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：