タイプII量子ドット太陽電池

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-529055
公開番号（公開出願番号）：特表2011-501419
出願日： 2008年10月09日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

装置は、半導体材料の複数のフェンス層と、間に組み込まれ、p型およびn型半導体材料の間のスタックに配置された第3の半導体材料と直接接触する第2の半導体材料の量子ドットの交代層と、を含む。前記第2の半導体材料および前記第3の半導体材料の各々の量子ドットは、タイプIIバンド配列を有するヘテロ接合を形成する。そのような装置を製造する方法も提供される。

請求項（抜粋）：

第1の電極および第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間のスタックに配置されたp形半導体材料の層と、前記第1の電極と前記第2の電極との間のスタックに配置されたn形半導体材料の層と、基本的に第1の半導体材料で構成され、前記p型およびn形半導体材料の間のスタックに配置された複数のフェンス層と、間に組み込まれて第3の半導体材料と直接接触する第2の半導体材料の量子ドットの交代層で基本的に構成される複数の層と、を含み、前記交代層は、前記スタックの間に配置され、前記フェンス層のそれぞれの2つと直接接触し、各々の量子ドットは、前記第1の半導体材料の近接した層の伝導帯端と価電子帯端との間のエネルギーにおける少なくとも1つの量子状態を提供し、前記第2の半導体材料および前記第3の半導体材料の各々の量子ドットは、タイプIIバンド配列を有するヘテロ接合を形成する、光起電装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (5件)：

5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151DA04 , 5F151DA13 , 5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-302705 出願人：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学

引用文献：

審査官引用 (4件)

全件表示

前のページに戻る