特許

J-GLOBAL ID：201103051738266460

水素吸蔵合金電極及びその製造方法

発明者： 東山 信幸 ,  井本 輝彦 ,  廣田 洋平 ,  加藤 菊子 ,  木本 衛 ,  藤谷 伸 ,  西尾 晃治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (3件)： 丸山 敏之 ,  宮野 孝雄 ,  北住 公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243387
特許番号：特許第3796085号
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 CaCu5型結晶構造を有し、MmNiaCobAlcMd(但し、Mmはミッシュメタル、MはMn及び/又はCuであり、原子比a、b、c、dは、夫々3.0≦a≦5.2、0≦b≦1.2、0.1≦c≦0.9、0.1≦d≦0.8、且つ原子比a、b、c、dの合計値X=a+b+c+dが4.4≦X≦5.4)で表わされる水素吸蔵合金を含有する水素吸蔵合金電極において、 Xの値が5.0以上である水素吸蔵合金粉末と、Xの値が5.0未満である水素吸蔵合金粉末を含んでいることを特徴とする水素吸蔵合金電極。

IPC (5件)：

H01M 4/24 ( 200 6.01) ,  B22F 1/00 ( 200 6.01) ,  B22F 1/02 ( 200 6.01) ,  H01M 4/38 ( 200 6.01) ,  C22C 19/00 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01M 4/24 J ,  B22F 1/00 H ,  B22F 1/02 B ,  H01M 4/38 A ,  C22C 19/00 F