特許

J-GLOBAL ID：201103051802256474

メモリシステム

発明者： 櫻田 健次 ,  内川 浩典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-231832
公開番号（公開出願番号）：特開2011-081858
出願日： 2009年10月05日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】ホスト4とメモリカード3とからなる誤り訂正能力の高いメモリシステム5を提供する。【解決手段】閾値電圧分布に基づきNビットの符号化データを記憶する半導体メモリセル13Dと、閾値電圧に対応した通常の対数尤度比データからなる第1の対数尤度比テーブル21と、第1の対数尤度比テーブル21において隣り合う2つの対数尤度比の符号が反転する箇所と対応する箇所の、2つの対数尤度比が「0」である対数尤度比データからなる第2の対数尤度比テーブル22と、を記憶するLLRテーブル記憶部20と、対数尤度比を用いて確率に基づく反復計算による復号処理をするデコーダ1と、を具備する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ホストと記憶装置とからなるメモリシステムであって、 2N(Nは2以上の自然数)個の閾値電圧分布に基づきNビットの符号化データを記憶する半導体メモリセルと、 閾値電圧に対応した通常の対数尤度比データからなる第1の対数尤度比テーブルと、前記第1の対数尤度比テーブルにおいて隣り合う2つの対数尤度比の符号が反転する箇所と対応する箇所の、2つの対数尤度比の絶対値が、前記第1の対数尤度比テーブルのそれぞれの対数尤度比の絶対値と異なる対数尤度比データからなる第2の対数尤度比テーブルと、を記憶する記憶部と、 前記第1の対数尤度比テーブルまたは第2の対数尤度比テーブルと、前記閾値電圧とから算出された対数尤度比を用いて確率に基づく反復計算による復号処理をするデコーダと、を具備し、 前記第1の対数尤度比テーブルと前記閾値電圧とから算出された対数尤度比による前記復号処理がエラーの場合に、前記第2の対数尤度比テーブルと前記閾値電圧とから算出された対数尤度比による前記復号処理を行うことを特徴とするメモリシステム。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02 ,  G11C 29/42 ,  H03M 13/19

FI (5件)：

G11C17/00 639C ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641 ,  G11C29/00 631D ,  H03M13/19

Fターム (16件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA21 ,  5B125DE08 ,  5B125EK01 ,  5B125EK02 ,  5B125FA01 ,  5J065AD01 ,  5J065AD07 ,  5J065AG05 ,  5J065AH01 ,  5J065AH06 ,  5J065AH13 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106FF05