半導体装置およびそれを備えた電子回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山崎宏 , 田中光雄 , 仲倉幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-002971
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142265
出願日： 2010年01月08日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：

【課題】同一のボンディングパッドに対して異なる金属のボンディングワイヤーを用いて信頼性の高い配線を行う。【解決手段】窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極8,ドレイン電極9,ソースパッド8'およびドレインパッド9'をTi,Al,MoおよびAuを順次積層して形成し、ソースパッド8'およびドレインパッド9'の一部をエッチングによって開口して、Al露出部を形成している。したがって、ソースパッド8'またはドレインパッド9'におけるAu露出部に対しては、Auボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Al露出部に対しては、Alボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも第1金属層と第2金属層との2層を含むボンディングパッドを有する半導体素子を備え、上記第1金属層は、第1の金属の層あるいは上記第1の金属を含む金属の層であり、上記第2金属層は、第2の金属の層あるいは上記第2の金属を含む金属の層であり、上記第1金属層は上記第2金属層よりも上層に位置しており、上記第1金属層の少なくとも一部は露出しており、上記第1金属層の一部が除去されて、上記第2金属層の一部が露出しており、上記ボンディングパッドにおける上記第1金属層の露出部には上記第1の金属のボンディングワイヤーでボンディングする一方、上記第2金属層の露出部には上記第2の金属のボンディングワイヤーでボンディングすることが可能になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/60 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L21/60 301P , H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/78 301X

Fターム (72件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD63 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104DD79 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH01 , 4M104HH08 , 5F044AA14 , 5F044AA18 , 5F044EE01 , 5F044EE06 , 5F044EE13 , 5F044FF04 , 5F044FF05 , 5F102FA03 , 5F102GA01 , 5F102GA05 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GT06 , 5F102GV03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD06 , 5F140BE09 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CA10 , 5F140CC08 , 5F140CE02

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