特許
J-GLOBAL ID：201103052098256869
GTOパワーサイリスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-002676
公開番号（公開出願番号）：特開平1-217973
特許番号：特許第2706120号
出願日： 1989年01月09日
公開日（公表日）： 1989年08月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】陽極と陰極を有すGTOパワーサイリスタにおいて、陽極と陰極との間の半導体基板内に、n型エミッタ層、p型ベース層、n型ベース層及びp型エミッタ層から成る層列を包含しており、前記p型エミッタ層が、n型ベース層と陽極を短絡させる陽極短絡により穿孔されており、前記陽極短絡とn型ベース層との間で順電流を案内する領域の少なくとも内側にp-型しゃ断層が配置され、前記p-型しゃ断層が1015cm-3よりも低いドーピング濃度を有している、ことを特徴とするGTOパワーサイリスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/74 C
, H01L 29/74 A
