特許

J-GLOBAL ID：201103052155742708

気相結晶成長装置

発明者： 三浦 祥紀 ,  村井 重夫 ,  竹本 菊郎 ,  片山 浩二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-066715
公開番号（公開出願番号）：特開平2-244714
特許番号：特許第2713347号
出願日： 1989年03月17日
公開日（公表日）： 1990年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】上流から下流へ、原料ガスをキャリアガスとともに流し、基板上に化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させる気相結晶成長装置であって、前記基板を収容する反応管と、前記反応管内の下流側に設けられ、該室内で前記基板上に前記化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させる第1の気相成長室と第2の気相成長室と、前記反応管内の上流側に設けられ、前記第1の気相成長室と第2の気相成長室の上流側の端部を相互に接続する連絡室と、前記連絡室に接続され、前記キャリアガスを前記反応管内に送り込むキャリアガス導入手段と、前記第1の気相成長室に接続され、第1の原料ガスを該第1の気相成長室内に送り込む第1の原料ガス導入手段と、前記第2の気相成長室に接続され、第2の原料ガスを該第2の気相成長室内に送り込む第2の原料ガス導入手段と、前記基板を前記第1の気相成長室に挿入し、次に該基板上に前記化合物半導体エピタキシャル結晶が成長した後、該基板を前記連絡室に引出し、その後、該基板を前記第2の気相成長室へ挿入するための駆動手段と、を備えた気相結晶成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/08 ,  C30B 25/14

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/08 ,  C30B 25/14