特許
J-GLOBAL ID：201103052261179214
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-124604
公開番号（公開出願番号）：特開2011-253837
出願日： 2010年05月31日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：
【課題】よりオン抵抗の低減を図ることができるSiC半導体装置を提供する。【解決手段】p型ディープ層10をトレンチ6と交差する方向において複数に分断したレイアウトとする。これにより、分断されたp型ディープ層10の間のn-型ドリフト層2内でも電流の流れる範囲が広がるようにでき、ソース-ドレイン間により多くの電流が流れるようにできる。したがって、SiC半導体装置のオン抵抗を従来よりもさらに低減することが可能になる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)と、
前記基板(1)の上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)と、
前記ベース領域(3)の上層部に形成され、前記ドリフト層(2)よりも高濃度の第1導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域(4)と、
前記ソース領域(4)の表面から前記ベース領域(3)よりも深くまで形成され、一方向を長手方向として形成されたトレンチ(6)と、
前記トレンチ(6)の内壁面に形成されたゲート絶縁膜(8)と、
前記トレンチ(6)内において、前記ゲート絶縁膜(8)の上に形成されたゲート電極(9)と、
前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)に電気的に接続されたソース電極(11)と、
前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(13)とを備え、
前記ゲート電極(9)への印加電圧を制御することで前記トレンチ(6)の側面に位置する前記ベース領域(3)の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域(4)および前記ドリフト層(2)を介して、前記ソース電極(11)および前記ドレイン電極(13)の間に電流を流す反転型のMOSFETを備えた炭化珪素半導体装置であって、
前記ベース領域(3)の下方に配置されると共に前記トレンチ(6)よりも深い位置まで形成され、前記トレンチ(6)の長手方向と交差する方向において複数に分断されていると共に、少なくとも前記トレンチ(6)と対応する位置において、前記トレンチ(6)の長手方向に等間隔に配置されたレイアウトとされ、前記トレンチ(6)と対応する位置に配置された部分により、前記トレンチ(6)の底部における角部を囲んでいる第2導電型のディープ層(10)が備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/12
H01L29/78 652C
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652T
