特許

J-GLOBAL ID：201103052282445879

多層配線基板の製造方法

発明者： 佐々木 伸也 ,  谷 元昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-034251
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171528
出願日： 2010年02月19日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】 平坦な表面を有する絶縁樹脂層上にメッキ金属層を強固に結合する。【解決手段】 多層配線基板の製造方法は、(a)下地配線を備える下地構造上に、絶縁樹脂層を形成し、(b)絶縁樹脂層表面に、水酸基を形成可能な粒子を配置すると共に、保護樹脂膜で覆い、(c)保護樹脂膜、絶縁樹脂層を貫通して、下地配線に達するビアホールをレーザ加工し、(d)レーザ加工によるスミアを除去し、(e)前記保護樹脂膜を除去し、(f)前記水酸基を形成可能な粒子にカップリング剤を結合し、(g)前記下地配線、前記絶縁樹脂層の上に、シード層を無電解メッキし、(h)前記シード層上に主配線層を電解メッキする。【選択図】 図1-1

請求項（抜粋）：

(a)下地配線を備える下地構造上に、絶縁樹脂層を形成し、 (b)前記絶縁樹脂層表面に、水酸基を形成可能な粒子を配置すると共に、保護樹脂膜で覆い、 (c)前記保護樹脂膜、前記絶縁樹脂層を貫通して、前記下地配線に達するビアホールをレーザ加工し、 (d)前記レーザ加工によるスミアを除去し、 (e)前記保護樹脂膜を除去し、 (f)前記水酸基を形成可能な粒子にカップリング剤を結合し、 (g)前記下地配線、前記絶縁樹脂層の上に、シード層を無電解メッキし、 (h)前記シード層上に主配線層を電解メッキする、 多層配線基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/26 ,  H05K 3/00

FI (5件)：

H05K3/40 K ,  H05K3/46 N ,  H05K3/18 A ,  H05K3/26 B ,  H05K3/00 N

Fターム (22件)：

5E317AA24 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CD01 ,  5E317CD32 ,  5E343AA12 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE02 ,  5E343FF23 ,  5E343GG02 ,  5E343GG13 ,  5E346AA43 ,  5E346DD25 ,  5E346FF15 ,  5E346FF22 ,  5E346FF28 ,  5E346GG15 ,  5E346GG16 ,  5E346GG17 ,  5E346HH07 ,  5E346HH33