特許
J-GLOBAL ID：201103052288778403
高電圧電界効果トランジスタの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 仁朗 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016512
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260936
特許番号：特許第3184811号
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ウェハ上に電界効果トランジスタ(FET)を形成する方法であって、(a)半導体層上にゲート誘電体層を形成する段階と、(b)前記ゲート誘電体層上にゲート層を形成する段階と、(c)前記ゲート層をパターン化して高電圧FET領域及び低電圧FET領域のそれぞれにゲートを形成する段階と、(d)高電圧FET領域を遮蔽マスクにより遮蔽し、低電圧FET領域を露出する段階と、(e)前記低電圧FET領域にドーパントをドープして、前記低電圧FETのゲートをドープし、そしてソース及びドレイン領域を形成する段階と、(f)前記高電圧FET領域の遮蔽マスクを除去して露出し、そして前記低電圧FET領域を遮蔽マスクで遮蔽する段階と、(g)前記高電圧FET領域にドーパントをドープして、前記高電圧FETのゲートをドープし、そしてソース及びドレイン領域を形成する段階とを含み、前記段階(g)のドーパントのドープは、前記ソース及びドレイン領域のそれぞれに、表面の近くのドープ濃度が該表面のドープ濃度よりも高いピーク濃度である拡散ドーピング・プロファイルを生じ、そして前記段階(e)のドーパントのドープは、前記段階(g)で生じた拡散ドーピング・プロファイルと異なる拡散ドーピング・プロファイルを生じさせ、前記高電圧FETのゲート誘電体層の有効厚さを前記低電圧FETのゲート誘電体層の有効厚さよりも厚くすることを特徴とする、FETを形成する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
