バイポ-ラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-011204
公開番号（公開出願番号）：特開平2-192124
特許番号：特許第2518373号
出願日： 1989年01月19日
公開日（公表日）： 1990年07月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に設けられた一導電型コレクタ領域と逆導電型ベース領域と一導電型エミッタ領域を有するバイポーラトランジスタにおいて、前記エミッタ領域の隣りに間隔をおいて設けられ前記コレクタ領域とは異る一導電型拡散層と、前記一導電型拡散層と前記エミッタ領域との間の領域上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、前記一導電型拡散層がベース電極に接続され、前記ゲート電極がコレクタ電極に配線を介して接続され、前記ゲート電極下の前記半導体基板と前記絶縁膜との界面に反転層が形成されるようになっていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/08 , H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭55-088372
特開昭63-181466
特開昭57-019449

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