特許

J-GLOBAL ID：201103052772534268

単結晶育成法及びその装置

発明者： 北川 邦彦 ,  青木 俊彦 ,  山下 健一 ,  白岩 俊男
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-055874
公開番号（公開出願番号）：特開平2-233583
特許番号：特許第2717175号
出願日： 1989年03月08日
公開日（公表日）： 1990年09月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】単結晶材料の融液から単結晶を育成する方法において、前記融液の温度を直接測定して、該融液の熱及び不純物の実効的拡散率と分布を求め、これに基き固液界面に流入する熱量と不純物濃度を目的のものとすべく、単結晶育成条件を制御することを特徴とする単結晶育成法。

IPC (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P