特許
J-GLOBAL ID：201103052807619237
半微量幅金属線を形成するのに適するパターンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
江崎 光史
, 三原 恒男
, 奥村 義道
, 鍛冶澤 實
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-605859
特許番号：特許第4495863号
出願日： 2000年03月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 フォトレジストプロフィールの側壁にオーバーハングおよび逆傾斜のフォトレジスト輪郭のあるパターン化フォトレジスト層を製造する方法において、
1)液体のポジ型フォトレジストの層を基板に塗布し;
2)第1段階からの被覆された基板をソフトベークして、フォトレジスト層からフォトレジスト溶剤を実質的に除き;
3)第2段階からの、被覆されソフトベークされた基板の上のフォトレジスト層を0.005容量%〜0.5容量%のC1〜C4アルキレングリコール-C1〜C4アルキルエーテルを含有する水性アルカリソーキング液と接触させ;
4)第3段階からの、被覆されソフトベークされた基板の上のフォトレジスト層の上にパターン原画のあるマスクを置き;
5)第3段階からの、被覆されソフトベークされた基板の上に第4段階からのマスクを通してフォトレジスト層の一部を化学線に露光し;
6)第5段階からの、被覆されソフトベークされた基板の上のフォトレジスト層を現像前ベークし、
7)場合によっては第6段階からの、被覆されソフトベークされた基板の上のフォトレジスト層に化学線を照射し;
8)第6または7段階からの被覆された基板に水性アルカリソーキング液でフォトレジスト層を現像する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法。
IPC (3件)：
G03F 7/32 ( 200 6.01)
, G03F 7/38 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/32
, G03F 7/38 501
, H01L 21/30 576
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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