特許

J-GLOBAL ID：201103052950399132

半導体装置の製造方法

発明者： 門谷 典和 ,  今井 貞人 ,  石坂 光識
出願人/特許権者： シチズン電子株式会社 ,  シチズンホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-162961
公開番号（公開出願番号）：特開2011-018801
出願日： 2009年07月09日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

【課題】 メッキ処理工程で用いられたメッキリードを基板内の電極や配線パターン部から容易且つ確実に絶縁分離することができる工程を備えた半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】 基板12と、該基板12上に形成される配線パターン部17と、この配線パターン部17の一端から延び、先端が前記基板12の外周面に露出するメッキ処理用のメッキリード21とを備えたLEDランプ11において、前記基板12上には、前記配線パターン部17の一端から前記メッキリード21に繋がる共通接点部20が設けられ、該共通接点部20を介して前記メッキリード21からのメッキ処理が終了した後に、前記共通接点部20を絶縁することによって、前記配線パターン部17をメッキリード21から電気的に分離させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成される配線パターン部と、この配線パターン部の一端から延び、先端が前記基板の外周面に露出するメッキ処理用のメッキリードとを備えた半導体装置の製造方法において、 前記基板上には、前記配線パターン部の一端から前記メッキリードに繋がる共通接点部が設けられ、該共通接点部を介して前記メッキリードからのメッキ処理が終了した後に、前記共通接点部を絶縁することによって、前記配線パターン部をメッキリードから電気的に分離させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/48

FI (1件)：

H01L33/00 400

Fターム (8件)：

5F041AA31 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA46 ,  5F041DA57 ,  5F041DB08 ,  5F041FF11