磁気抵抗素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-213888
公開番号（公開出願番号）：特開平3-077385
特許番号：特許第2524410号
出願日： 1989年08月19日
公開日（公表日）： 1991年04月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】加熱された基板(P)上にクラスタイオンビーム蒸着法を用いて強磁性金属の薄膜を形成し、該強磁性金属の薄膜にフォトリソグラフィにより抵抗パターン(10)及びパッド(11)を形成することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

IPC (5件)：