特許

J-GLOBAL ID：201103053194515260

双安定型レーザーダイオード素子及びその製造方法

発明者： 安藤 功兒 ,  ザエツ ヴァディム
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059214
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196686
特許番号：特許第3829173号
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 利得部と可飽和吸収部と非相反光増幅部から構成され、非相反光増幅部が利得部と可飽和吸収部の間にある双安定型レーザーダイオード素子。

IPC (2件)：

H01S 5/0625 ( 200 6.01) ,  G02F 3/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/062 ,  G02F 3/02