特許
J-GLOBAL ID:201103053419315907
アクティブマトリクス型表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森岡 正樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-142627
公開番号(公開出願番号):特開2000-330132
特許番号:特許第4402197号
出願日: 1999年05月24日
公開日(公表日): 2000年11月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に形成された複数のゲート配線と、
前記ゲート配線にほぼ直交して前記基板上に形成された複数のデータ配線と、
前記ゲート配線上に形成された第1の絶縁膜と
前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と
前記第2の絶縁膜上に形成された第3の絶縁膜と、
前記ゲート配線と前記データ配線とで画定されてマトリクス状に配列する複数の画素領域に形成された画素電極と、
前記ゲート配線に接続されたゲート電極と、前記画素電極に接続されたソース電極と、前記データ配線に接続されたドレイン電極とを備えて前記画素領域に形成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域の前段にある前記ゲート配線領域の前記第1及び第2の絶縁膜の間に形成され、前記画素領域の前記画素電極に接続された第1の蓄積容量電極と、
前記基板垂直方向から見て前記画素電極の全周囲領域と重複する周辺領域を有し、前記ゲート配線領域の前記第2及び第3の絶縁膜の間に形成されて蓄積容量配線を兼ねる第2の蓄積容量電極と、
前記第1の蓄積容量電極と前記第2の絶縁膜と前記第2の蓄積容量電極とで構成された第1の蓄積容量と、
前記第2の蓄積容量電極と前記第3の絶縁膜と前記画素電極とで構成された第2の蓄積容量と
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (4件):
G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (3件):
G02F 1/134
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 Z
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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特開平2-044317
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-205378
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
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アクティブマトリクス型液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-038872
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開平4-291240
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-292620
出願人:株式会社東芝
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特開平4-056828
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特開平4-333828
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特開平3-288824
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特開昭63-121886
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