特許

J-GLOBAL ID：201103053573418085

半導体記憶装置

発明者： 新谷 勝
出願人/特許権者： NECマイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-216795
特許番号：特許第3569186号
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】カレントミラー型センスアンプ回路に貫通電流を流すか否かを制御する第一のスイッチ機構と、カレントミラー型センスアンプ回路をオンオフする第二のスイッチ機構と,カレントミラー型センスアンプ回路とを有して成り、第一のスイッチ機構はカレントミラー型センスアンプ回路の基準側電流経路に接続され,第二のスイッチ機構はカレントミラー型センスアンプ回路のメモリセルと接続する第三のスイッチ機構に少なくとも接続し、第二のスイッチ機構をオフからオンへ変化させる時刻から直後の第一のスイッチ機構をオンからオフへ変化させる時刻まで、及び、第二のスイッチ機構をオンからオフへ変化させる時刻から直後の第一のスイッチ機構をオフからオンへ変化させる時刻までが、所定時間に設定されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 17/18 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 306 B ,  G11C 17/00 634 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-214292
  
• センスアンプ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-331500   出願人：株式会社日立製作所, 日立エンジニアリング株式会社