特許
J-GLOBAL ID:201103053630298563

半導体ウェーハ支持方法,半導体ウェーハ支持用ピン及び半導体ウェーハ支持装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-170215
公開番号(公開出願番号):特開2011-029225
出願日: 2009年07月21日
公開日(公表日): 2011年02月10日
要約:
【課題】熱処理される半導体ウェーハの支持に関し、コストが増大することなくスリップ欠陥の発生を抑制することができるようにする。【解決手段】熱処理される半導体ウェーハWを裏面WBから複数のピン6によって水平に支持するものであって、ピン6として平面形状の上面を有するものを用いるとともに、ピン6の上面6aを半導体ウェーハWの裏面WBに対して傾斜させた状態として、ピン6の上面6aと側面6cとがなす角部6dの上に半導体ウェーハWを載せて支持する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
熱処理される半導体ウェーハを裏面から複数のピンによって水平に支持する半導体ウェーハ支持方法であって、 該ピンとして平面形状の上面を有するものを用いるとともに、該ピンの上面を該半導体ウェーハの裏面に対して傾斜させた状態として、該上面と該ピンの側面とがなす角部の上に該半導体ウェーハを載せて支持する ことを特徴とする、半導体ウェーハ支持方法。
IPC (2件):
H01L 21/683 ,  H01L 21/324
FI (2件):
H01L21/68 N ,  H01L21/324 Q
Fターム (8件):
5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA08 ,  5F031HA50 ,  5F031MA30 ,  5F031PA06 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13

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