III族窒化物結晶の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：内藤浩樹 , 永野大介 , 藤井兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063808
公開番号（公開出願番号）：特開2011-195377
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】保持基板上に成長したIII族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】(a)保持基板20上の表側主面に、第1のIII族窒化物結晶層22を形成する工程と、(b)前記保持基板20裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のIII窒化物結晶層22の裏面側をレーザ加工する工程と、(c)前記第1のIII族窒化物結晶層22の表側主面に第2のIII族窒化物結晶層24を成長する工程と、(d)前記保持基板20と前記第1のIII族窒化物層22の界面から分離する工程とを備え、(e)前記工程(b)において、前記第1のIII族窒化物結晶層22の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)保持基板上の表側主面に、第1のIII族窒化物結晶層を形成する工程と、 (b)前記保持基板裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のIII窒化物結晶層の裏面側をレーザ加工する工程と、 (c)前記第1のIII族窒化物結晶層の表側主面に第2のIII族窒化物結晶層を成長する工程と、 (d)前記保持基板と前記第1のIII族窒化物層の界面から分離すること工程と、を備えた製造方法であって、 (e)前記工程(b)において、前記第1のIII族窒化物結晶層の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設けたIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/38 , C30B 9/00 , C23C 16/01 , H01L 33/32 , H01S 5/323 , H01L 21/205

FI (6件)：

C30B29/38 D , C30B9/00 , C23C16/01 , H01L33/00 186 , H01S5/323 610 , H01L21/205

Fターム (35件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077ED04 , 4G077EE06 , 4G077EE10 , 4G077FB10 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB01 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF09 , 5F045AF19 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DB01 , 5F045HA18 , 5F173AH12 , 5F173AP05 , 5F173AP13 , 5F173AP19 , 5F173AQ02 , 5F173AR81

前のページに戻る