イオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人小野国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-016632
公開番号（公開出願番号）：特開2011-154264
出願日： 2010年01月28日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：

【課題】レジスト組成物自体の熱安定性・保存安定性が良好で、ClやNaなどのイオン性の不純物が少なく、広い波長領域で透明性に優れ、厚膜かつアスペクト比の高いレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】次の成分(A)および(B)を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。(A)下記式(1)または環状オレフィンを開環重合した後水素添加した重合体単位、ビニルエーテル重合体単位から選ばれ、イオンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂、(B)樹脂(A)を溶解する少なくとも一種以上の有機溶剤。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

次の成分(A)および(B)、 (A)下記式(1)ないし(3)で表される繰り返し単位を有する樹脂から選ばれ、イオンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂

IPC (6件)：

G03F 7/038 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 32/08 , C08G 61/08 , C08F 16/16

FI (6件)：

G03F7/038 505 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C08F32/08 , C08G61/08 , C08F16/16

Fターム (19件)：

2H125AM43P , 2H125AM45P , 2H125AM54P , 2H125AN10P , 2H125CA12 , 2H125CA30 , 2H125CB15 , 2H125CC01 , 2H125CC11 , 2H125FA05 , 4J032CA34 , 4J032CG00 , 4J100AE09P , 4J100AR10P , 4J100AR11P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC12P , 4J100JA38

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