特許

J-GLOBAL ID：201103053875662619

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 出尾 晋一 ,  田屋 昌樹 ,  内藤 皓貴 ,  徳永 隆志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-103572
公開番号（公開出願番号）：特開2011-230070
出願日： 2010年04月28日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】珪素粒子の欠陥密度を可及的に低減すること。【解決手段】珪素粒子1を積載する第一の電極2と、水素プラズマの発生領域を挟んで第一の電極2に対向して配設されている第二の電極4と、第一の電極2の温度が第二の電極4の温度よりも高くなるように温度制御して第一の電極2と第二の電極4との間に原料ガスの対流を起こす温度制御手段(ヒーター3、冷却管6)と、を備え、原料ガスの対流によって第一の電極2に積載されている珪素粒子1を水素プラズマ中に浮遊させて水素プラズマに曝露する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水素ガスを含む原料ガスが満たされた空間に水素プラズマを発生させ、珪素粒子を前記水素プラズマに曝露するプラズマ処理装置であって、 前記珪素粒子を積載する積載ステージと、 前記水素プラズマの発生領域を挟んで前記積載ステージに対向して配設されている対向板と、 前記積載ステージの温度が前記対向板の温度よりも高くなるように温度制御して前記積載ステージと前記対向板との間に前記原料ガスの対流を起こす温度制御手段と、 を備え、前記対流によって前記積載ステージに積載されている珪素粒子を前記水素プラズマ中に浮遊させて前記水素プラズマに曝露する、 ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

B01J 19/08 ,  H01L 21/265 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

B01J19/08 E ,  H01L21/265 F ,  H05H1/46 M

Fターム (23件)：

4G075AA22 ,  4G075AA63 ,  4G075BA06 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075DA01 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075FC15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB12 ,  5F045EF02 ,  5F045EH09 ,  5F045EH12 ,  5F045EJ05 ,  5F045EK07