特許

J-GLOBAL ID：201103053931826166

タッチパネル、タッチパネルの製造方法、電気光学装置、電子機器

発明者： 石田 紘平
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-223912
公開番号（公開出願番号）：特開2011-076155
出願日： 2009年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】センシング感度(センサー位置精度)がより高精度でパターンが視認されないタッチパネルが望まれていた。【解決手段】基板の一面上に形成され、互いに交差する方向に延在する複数の第1電極膜及び複数の第2電極膜を有するタッチパネルの製造方法であって、少なくとも一部分が絶縁膜上を経由して、隣接する第2島状電極部を電気的に接続する第2ブリッジ配線膜を形成する第2ブリッジ配線膜形成工程は、初期配線膜を形成する初期配線膜形成工程と、隣接する前記初期配線膜を電気的に接続すると共に、前記絶縁膜上を経由する配線膜を形成する経由部配線膜形成工程とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の一面上に形成され、互いに交差する方向に延在する複数の第1電極膜及び複数の第2電極膜を有するタッチパネルの製造方法であって、 第1方向に間隔をあけて複数の第1島状電極部と、隣接する前記第1島状電極部を電気的に接続する第1ブリッジ配線膜とを形成する第1電極膜形成工程と、 前記第1方向と交差する第2方向に間隔をあけて複数の第2島状電極部を形成する第2島状電極部形成工程と、 少なくとも前記第1ブリッジ配線膜の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 少なくとも一部分が前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2島状電極部を電気的に接続する第2ブリッジ配線膜を形成する第2ブリッジ配線膜形成工程と、を含み、 前記第2ブリッジ配線膜形成工程は、 少なくとも前記絶縁膜の周縁端部から前記第2島状電極部までの初期配線膜を形成する初期配線膜形成工程と、 隣接する前記初期配線膜を電気的に接続すると共に、前記絶縁膜上を経由する配線膜を形成する経由部配線膜形成工程とを含むことを特徴とするタッチパネルの製造方法。

IPC (3件)：

G06F 3/041 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/36

FI (3件)：

G06F3/041 330D ,  G09G3/20 680H ,  G09G3/36

Fターム (10件)：

5B087AA09 ,  5B087BC21 ,  5B087CC02 ,  5C006BF50 ,  5C006EC05 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080DD30 ,  5C080JJ06 ,  5C080JJ07