特許

J-GLOBAL ID：201103053979769679

半導体装置の製造方法

発明者： 柴田 正実 ,  天野 彰 ,  降旗 博明 ,  一ノ瀬 正樹 ,  中山 茂幸
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115268
特許番号：特許第3975625号
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコンウェハをふっ化水素酸と酸化剤とを含む前処理溶液に浸して表面活性化をおこない、水洗後直ちに無電解ニッケルめっきをおこなうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 18/16 ( 200 6.01) ,  C23C 18/18 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 18/16 A ,  C23C 18/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-271829
  
• 特開昭61-271829