特許

J-GLOBAL ID：201103053985064750

耐電流測定方法

発明者： 谷津 守
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-296327
特許番号：特許第4544693号
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 IC本体の出力用MOSトランジスタと並列に意図的に作り込まれたバイポーラトランジスタ或いはIC本体内に寄生するバイポーラトランジスタ(PN接合ダイオード)を含み、前記出力用MOSトランジスタのオン状態で、前記バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間(接合ダイオード)に電流を通電して、カラー・プラズマ・ディスプレイの点灯状態を維持するための駆動電流を発生する表示ドライバICにおいて、 前記出力用MOSトランジスタのオン状態で前記バイポーラトランジスタ(PN接合ダイオード)に通電する電流値を変化させて、前記バイポーラトランジスタがオン状態になってラッチアップ現象を引き起こす限界電流値(ラッチアップ・トリガー電流値)を測定することを特徴とする耐電流測定方法。

IPC (4件)：

G01R 31/26 ( 200 6.01) ,  G01R 31/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G01R 31/26 G ,  G01R 31/26 B ,  G01R 31/30 ,  H01L 27/04 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 方形波定電流発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-005502   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭63-279178