ニッケルの無電解めっき方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江崎光史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-210230
公開番号（公開出願番号）：特開平2-101172
特許番号：特許第3093219号
出願日： 1989年08月16日
公開日（公表日）： 1990年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】パラジウムイオンを含有する水溶液に浸漬することによってセラミック体に核を形成させ、ついでそれを非電解ニッケルめっき浴中に導入することによって、セラミック体の表面に沈着されているタングステンまたはモリブデンの表面にニッケルを非電解めっきする方法であって、この方法が、ニッケルめっきの前に、脱核剤としてパラジウムイオン用の錯化剤を含有する浴の中で、前記の核が形成されたセラミック体を処理することを含むことを特徴とする前記ニッケルの非電解めっき方法。

IPC (2件)：