特許
J-GLOBAL ID：201103054370860056
トレンチショットキーバリア整流器、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-550323
特許番号：特許第4440542号
出願日： 2001年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いに対向した第1の面と第2の面を有し、該第1の面に隣接する第1の伝導型のドリフト領域と、該第2の面に隣接し、該ドリフト領域よりドーピング濃度が高い第1の伝導型のカソード領域とを有する半導体領域を形成する工程と、
上記第1の面から上記半導体領域内に延び、該半導体領域内に複数のメサを画定し、複数の位置で交差するトレンチ交差部を有する複数のトレンチを形成する工程と、
上記トレンチの底部及び該トレンチの側壁の下部に対応した半導体領域を覆う酸化層を形成する工程と、
上記トレンチ内の上記酸化層上に配置されるポリシリコン層を形成する工程と、
上記トレンチ交差部の上記酸化層上に絶縁領域を形成する工程と、
上記ドリフト領域に隣接し、該ドリフト領域とショットキー整流性接触を形成するアノード電極を形成する工程とを有し、
上記酸化層、上記ポリシリコン層及び上記絶縁領域を形成する工程は、
上記半導体領域の第1の面上及び上記トレンチ内に上記酸化層を形成する工程と、
上記酸化層上に上記ポリシリコン層を形成する工程と、
上記ポリシリコン層を、上記酸化層の一部が上記第1の面上及び上記トレンチの側壁の上部上に露出するようにエッチングする工程と、
上記酸化層及び上記エッチングされたポリシリコン層上に絶縁層を形成する工程と、
上記トレンチ交差部の上記絶縁層上を覆うパターンを有するエッチングレジスト層を形成する工程と、
上記エッチングレジスト層によって覆われていない上記絶縁層及び上記酸化層をエッチングする工程とを有することを特徴とするトレンチショットキーバリア整流器の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
H01L 29/48 F
, H01L 29/44 S
