特許
J-GLOBAL ID：201103054465057889
磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176025
特許番号：特許第3367488号
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 非磁性層、該非磁性層を挟んで積層された第1及び第2の強磁性層、並びに該第2の強磁性層の前記非磁性層とは反対側の面に積層された反強磁性層を含む磁気抵抗効果積層構造体と、該磁気抵抗効果積層構造体の感磁面に平行な方向の両方の縁端面にそれぞれ接して設けられており該磁気抵抗効果積層構造体に縦バイアス磁界を印加する縦バイアス手段とを備えた磁気抵抗効果センサであって、前記磁気抵抗効果積層構造体の前記両方の縁端面が前記感磁面に垂直な方向に対して互いに同一の方向に傾斜していることを特徴とする磁気抵抗効果センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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