特許
J-GLOBAL ID：201103054519575503
非破壊検査装置および非破壊検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037077
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286314
特許番号：特許第3175766号
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 レーザ光を発生する光源と、前記光源が発生したレーザ光よりレーザビームを生成して半導体デバイスチップに照射するレーザビーム生成手段とを備えて前記半導体デバイスチップを非破壊的に検査する装置であって、前記レーザビーム生成手段による前記レーザビームの照射により前記半導体デバイスチップ中に熱起電力電流が生じて誘起される磁場の強度を検出する磁場検出手段を備え、前記磁場検出手段の検出結果により前記半導体デバイスチップの欠陥の有無を検査することを特徴とする非破壊検査装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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