特許

J-GLOBAL ID：201103054587319027

半導体集積回路およびその動作方法

発明者： 五十嵐 満彦 ,  菅野 雄介
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-245313
公開番号（公開出願番号）：特開2011-089950
出願日： 2009年10月26日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】半導体集積回路に温度センサを実現する際に、温度センサの半導体チップ占有面積を削減すること。【解決手段】半導体集積回路LSIは、第1と第2の温度センサ2、3、データ演算部4、不揮発性メモリ5を含む温度センサ1を内蔵する。第1と第2と第3の温度で、第1の温度センサ2は半導体チップの第1の電気的パラメータtpdの温度依存性を測定する一方、第2の温度センサ3は半導体チップの第2の電気的パラメータtcの温度依存性を測定する。第3の温度でのtpdの測定情報tpd2と第3の温度でのtcの測定情報tc2と、不揮発性メモリ5に記憶された第1の温度と第2の温度でのtpdの測定情報tpd0、tpd1と第1の温度と第2の温度でのtcの測定情報tc0、tc1と第1の温度T0とから、データ演算部4は第3の温度を算出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップの温度を測定する温度センサを内蔵する半導体集積回路であって、 前記温度センサは、第1の温度センサと、第2の温度センサと、データ演算部と、不揮発性メモリとを含むものであり、 前記第1の温度センサは、前記半導体チップの第1の温度と第2の温度と第3の温度にて前記半導体チップの第1の電気的パラメータの温度依存性を測定可能とされたものであり、 前記第2の温度センサは、前記半導体チップの前記第1の温度と前記第2の温度と前記第3の温度にて前記半導体チップの第2の電気的パラメータの温度依存性を測定可能とされたものであり、 前記第1の温度センサにより測定される前記第1の温度での前記第1の電気的パラメータの第1測定情報と前記第1の温度センサにより測定される前記第2の温度での前記第1の電気的パラメータの第2測定情報とは、前記不揮発性メモリに不揮発記憶が可能とされたものであり、 前記第2の温度センサにより測定される前記第1の温度での前記第2の電気的パラメータの第3測定情報と前記第2の温度センサにより測定される前記第2の温度での前記第2の電気的パラメータの第4測定情報とは、前記不揮発性メモリに不揮発記憶が可能とされたものであり、 前記第1の温度センサにより測定される前記第3の温度での前記第1の電気的パラメータの第5測定情報と、前記第2の温度センサにより測定される前記第3の温度での前記第2の電気的パラメータの第6測定情報と、前記不揮発性メモリに不揮発記憶された前記第1測定情報と前記第2測定情報と前記第3測定情報と前記第4測定情報と前記第1の温度とから前記データ演算部は前記第3の温度を算出可能とされたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

G01K 7/01 ,  G01R 31/26 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

G01K7/00 391C ,  G01R31/26 G ,  H01L27/04 F ,  H01L27/04 T

Fターム (19件)：

2F056JT08 ,  2G003AA07 ,  2G003AB16 ,  2G003AH00 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB02 ,  5F038BH16 ,  5F038CD09 ,  5F038CD17 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF07 ,  5F038DF12 ,  5F038DT12 ,  5F038DT17 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ20