特許
J-GLOBAL ID：201103054810531254
高性能シリコンパワーデバイスにおける不均一少数キャリア寿命分布
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青山 葆
, 柴田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-564229
特許番号：特許第4312385号
出願日： 1999年08月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】セグメントにおける少数キャリア再結合中心の濃度プロファイルに影響を及ぼすように単結晶シリコンセグメントを熱処理することを含む、単結晶シリコンセグメントの製造方法であって、
シリコンセグメントは前表面と、後表面と、前表面と後表面の間にある中央面と、前表面の下に前表面から中央面に向かって測定して距離D1で延びるセグメントの第1領域を有して成る表面層と、中央面と表面層の間にあるセグメントの第2領域を有して成るバルク層とを有し、更に、少数キャリア再結合中心の不均一分布を有し、バルク層における再結合中心の濃度が表面層における濃度よりも大きく、再結合中心の濃度プロファイルが、再結合中心の最大濃度が、前表面と中央面の間にありかつ中央面よりも前表面により近い領域にあり、再結合中心の最小濃度が、前表面と最大濃度領域との間の領域にあり、前表面と最大濃度領域との間の最小濃度は中央面の濃度よりも低く、再結合中心の濃度が、最小濃度から最大濃度領域へと増加していき、最大濃度領域から中央面へと減少していくというものであり、距離D1が少なくとも10ミクロンであり少数キャリア再結合中心が置換白金を含んでなり、
前記方法が、
雰囲気においてセグメントを熱処理して、表面層およびバルク層における結晶格子空孔を形成すること、
熱処理されたセグメントの冷却速度を少なくとも5°C/秒の速度に制御して、ピーク密度が中央面にあり濃度がセグメントの前表面の方向に減少していく空孔濃度プロファイルを有するセグメントを製造すること、および
空孔濃度プロファイルに実質的に依存する白金濃度プロファイルが得られるように冷却セグメントのシリコンマトリックスに白金原子を熱的に拡散すること、
を含んで成る方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 29/744 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
H01L 21/322 K
, H01L 29/74 C
, H01L 29/91 J
出願人引用 (3件)
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特開平4-125933
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特開平1-208830
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特開平2-051236
審査官引用 (8件)
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引用文献：
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