特許
J-GLOBAL ID：201103054863982134
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-150884
公開番号（公開出願番号）：特開平3-014272
特許番号：特許第2504831号
出願日： 1989年06月13日
公開日（公表日）： 1991年01月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】不揮発態様で情報を記憶し、かつ電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置であって、行方向および列方向に沿ってマトリクス状に配置された複数のメモリセルトランジスタを有し、かつ所定行ごとに複数のセクタに分割されたメモリセルアレイを備え、前記メモリセルトランジスタは、ドレインと、ソースと、コントロールゲートと、フローティングゲートとを有しており、さらに、前記メモリセルアレイの各行ごとに設けられ、対応する行の前記メモリセルトランジスタの前記コントロールゲートに接続された複数のワード線、前記メモリセルアレイの複数のセクタに共通してそれぞれが設けられる複数の主ビット線、前記各セクタ内のメモリセルトランジスタの各列に対応してそれぞれ設けられ、対応した列に配置されたメモリセルトランジスタのドレインが並列に接続されると共に、それぞれが対応の主ビット線にセクタ選択用トランジスタを介して接続される複数の副ビット線、および前記メモリセルアレイの前記各セクタごとに設けられ、対応するセクタの前記セクタ選択用トランジスタのゲートに接続された複数のセクタ選択線を備える、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
, G11C 17/00 307 D
