特許
J-GLOBAL ID：201103054870143768
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347078
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151587
特許番号：特許第3463038号
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の表面に形成した拡散層あるいは半導体基板上に形成した下層配線に被着する第1の層間絶縁膜をシリコン酸化膜で形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に高融点金属膜、第1のシリコン窒化膜、シリコン酸化膜をこの順に積層して形成する工程と、前記積層するシリコン酸化膜と第1のシリコン窒化膜を配線パターンに加工し、前記配線パターンに加工したシリコン酸化膜と第1のシリコン窒化膜をエッチングマスクとしたドライエッチングで前記高融点金属膜を加工し上層配線を形成すると同時に前記配線パターンに加工したシリコン酸化膜を除去する工程と、前記配線パターンに加工した第1のシリコン窒化膜、前記上層配線の側面および前記第1の層間絶縁膜の露出面を被覆する第2のシリコン窒化膜を全面に堆積させる工程と、前記第2のシリコン窒化膜の全面の異方性ドライエッチング(以下、エッチバックという)で前記配線パターンに加工した第1のシリコン窒化膜および前記上層配線の側面にサイドウォール窒化膜を形成する工程と、前記配線パターンに加工した第1のシリコン窒化膜および前記サイドウォール窒化膜をエッチングマスクの一部としたドライエッチングで前記第1の層間絶縁膜を貫通し前記拡散層あるいは下層配線に達するコンタクト孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 21/28 L
, H01L 21/90 A
, H01L 21/90 C
, H01L 27/10 621 Z
