特許

J-GLOBAL ID：201103055352032185

半導体素子用平角状アルミニウム被覆銅リボン

発明者： 三上 道孝 ,  中島 伸一郎 ,  菊池 照夫 ,  秋元 英行 ,  松尾 寛 ,  宮崎 兼一
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-058408
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192840
出願日： 2010年03月15日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】 半導体の素子パッドと基板側のリード間を接続するボンディングリボンにおいて、超音波接合性、高導電容量、ループ特性を向上する。【解決手段】 リボンをCu芯材をアルミ被覆層で構成し、Cu芯材を70Hv以下のビッカース硬さをもつ純度99.9%以上の銅(Cu)として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度99.9%以上のAlをアルゴンガス(Ar)またはヘリウムガス等の不活性雰囲気下で析出することによって、30Hv以上のビッカース硬さをもつ緻密な微細結晶組織として、芯材と被覆層との硬さの差を小さくして、Alパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。不活性雰囲気中で析出したAl微細結晶組織は、硬さがAlバルクよりも高く、ループ時の切断や剥がれを生じない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子パッドと基板との間を多数箇所の超音波接合によって接合し、ループ状に接続するためのアルミニウム(Al)被覆層および銅(Cu)芯材テープからなる平角状リボンにおいて、 前記銅(Cu)芯材テープは70Hv以下のビッカース硬さをもつ純度99.9%以上の銅(Cu)からなり、前記アルミニウム(Al)被覆層はアルゴンガス(Ar)またはヘリウム(He)ガス等の不活性雰囲気下で原子状ないしクラスター状で真空析出した緻密な微細結晶組織からなり、30Hv以上のビッカース硬さをもつ純度99.9%以上のアルミニウム(Al)からなることを特徴とする半導体素子用アルミニウム被覆銅リボン。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (1件)：

H01L21/60 301F

Fターム (4件)：

5F044FF02 ,  5F044FF05 ,  5F044FF06 ,  5F044FF08