特許

J-GLOBAL ID：201103055371549776

プレーナPN接合の形状を制御するための同心円マスク

発明者： キース フォーサイス ,  ノア クレイ
出願人/特許権者： センサーズ アンリミテッド インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262879
公開番号（公開出願番号）：特開2011-114345
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：

【課題】本発明は、プレーナ半導体PN接合デバイスを作る方法に向けられる。【解決手段】半導体デバイス中のプレーナPN接合を作る際に使用するためのマスクは、中央マスク開口と、中央マスク開口を囲む複数の間隔を空けて配置された同心円マスク開口とを含む。同心円マスク開口は、各々、中央マスク開口の最大寸法よりも小さな幅を有する。中央マスク開口は円形であることがあり、同心円マスク開口はリング形状を有することができる。ウェーハ層にドープすべき不純物を導入するために、マスクを使用してそのウェーハ層に開口を形成することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体PN接合デバイスを製作する方法であって、 下層の上に形成された第1のドーピング型を有する第1のドープ層を含む、複数の層を含むウェーハを形成すること、および 中央マスク開口および前記中央マスク開口を囲む複数の同心円マスク開口を有する同心円マスクを通して、第2のドーピング型の不純物を前記第1のドープ層の中へ導入して、前記不純物の導入が前記第1のドープ層中にPN接合を形成することを備え、 前記同心円マスク開口の幅は、前記中央マスク開口の最も大きな寸法よりも小さく、前記同心円マスク開口の幅は、必ずしもすべてが同じサイズとは限らないことを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L 31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (8件)：

5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA09 ,  5F049QA03 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SS04