特許
J-GLOBAL ID：201103055500458227
(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法及びその方法により製造される(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウム、並びにその(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを原料とする薄膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 大輔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353966
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172294
特許番号：特許第3620642号
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】次式;;化1::で示されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムと、次式;;化2::(式中、R1は、直鎖又は側鎖のアルキル基を示す。)で示される無水カルボン酸とをリン酸を触媒として反応させてアシル化することにより、次式;;化3::(一般構造式中、置換基R1の意義は上記と同様である。)で示される(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを製造し、前記(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを還元させてなる、次式、;;化4::(一般構造式中、R2は、直鎖又は側鎖のアルキル基を示す。)で示される(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
