特許

J-GLOBAL ID：201103055541963220

有機エレクトロルミネッセンス素子

発明者： 小田 敦 ,  田中 純一 ,  河合 崇
出願人/特許権者： 財団法人山形県産業技術振興機構
代理人 (2件)： 木下 茂 ,  石村 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-182521
公開番号（公開出願番号）：特開2011-034917
出願日： 2009年08月05日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】マルチフォトン構造の有機EL素子において、従来の中間層の構成で生じていた電荷移動錯体による可視領域の光吸収を抑制し、かつ、該中間層のカウンターキャリアに対する耐性を向上させることにより、素子の高効率化および長寿命化が図られた有機EL素子を提供する。【解決手段】基板1上に形成され、陽極層2とその対向電極である陰極層3との間に、少なくとも一層の発光層を含む発光ユニット4が中間層5を介して複数個積層されたマルチフォトン構造の有機EL素子において、前記中間層5は、電子受容性物質もしくは電子供与性物質と、有機化合物との混合または積層により形成され、電荷移動錯体が形成されないこと特徴とする素子構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、陽極層とその対向電極である陰極層との間に、少なくとも一層の発光層を含む発光ユニットが中間層を介して複数個積層されたマルチフォトン構造の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記中間層は、電子受容性物質もしくは電子供与性物質と、有機化合物との混合または積層により形成され、電荷移動錯体が形成されないことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (2件)：

H05B 33/12 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H05B33/12 C ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 A ,  H05B33/22 C

Fターム (13件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB08 ,  3K107CC04 ,  3K107CC05 ,  3K107CC22 ,  3K107DD04 ,  3K107DD52 ,  3K107DD78 ,  3K107DD79 ,  3K107DD84 ,  3K107FF06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-008548   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (1件)

• 表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-008548   出願人：ソニー株式会社