特許
J-GLOBAL ID：201103055550123846
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 道人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-048120
公開番号（公開出願番号）：特開平2-228043
特許番号：特許第2867264号
出願日： 1989年02月28日
公開日（公表日）： 1990年09月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】透明絶縁性基板上に、多結晶シリコン膜を能動層とする多数の薄膜半導体装置を隣接配置すると共に、この薄膜半導体装置のソース/ドレイン領域およびゲート電極内にドープされた不純物にエネルギビームを照射してその活性化を図る液晶表示装置の製造方法において、透明絶縁性基板の、少なくとも薄膜半導体装置が形成されない側に、エネルギビームに対して透明な下地膜を形成する工程と、前記下地膜が形成された透明絶縁性基板の両面に多結晶シリコン膜を形成する工程と、薄膜半導体装置が形成される側の多結晶シリコン膜を島切りして、多数の島状多結晶シリコン膜を形成する工程と、該島状多結晶シリコン膜を能動層とする薄膜半導体装置を形成する工程と、該薄膜半導体装置のソース/ドレイン領域およびゲート電極に不純物をドープすると共に、該不純物にエネルギビームを照射してその活性化を図る工程と、前記薄膜半導体装置が形成されない側の多結晶シリコン膜を除去する工程とを含み、前記下地膜は、前記透明絶縁性基板および下地膜を透過したエネルギビームの照射によって当該下地膜表面の多結晶シリコン膜が前記透明絶縁性基板の歪温度以上に加熱されても、当該透明絶縁性基板が前記歪温度以上には加熱されないように熱伝導を遮断する熱絶縁性を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 21/336
H01L 29/78 626 C
, H01L 21/20
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 G
