特許

J-GLOBAL ID：201103055582719902

半導体装置

発明者： 新井 規由 ,  古家 敏幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336152
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142689
特許番号：特許第3701228号
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 導体パターンを有する回路基板と、 前記導体パターンの主面上に配設され、電気的に逆並列の関係にあるトランジスタおよびダイオードの構造を併せて有する複数の複合トランジスタと、 前記回路基板の周辺に配設されるコレクタ端子と、 前記回路基板の周辺に配設されるエミッタ端子と、を備え、 前記複数の複合トランジスタは、 その一方主面に設けられた、前記トランジスタのコレクタおよび前記ダイオードのカソードに相当する第1の主電極と、 前記一方主面とは反対側の他方主面に設けられた、前記トランジスタのエミッタおよび前記ダイオードのアノードに相当する第2の主電極と、を有し、前記第1の主電極が前記導体パターンの前記主面上に対面するように配設され、 前記導体パターンと前記コレクタ端子、および前記第2の主電極とエミッタ端子がそれぞれワイヤ線によって電気的に接続され、 前記第1の主電極と前記コレクタ端子との間の配線インダクタンス、および前記第2の主電極と前記エミッタ端子との間の配線インダクタンスが、それぞれで同じとなるように前記複数の複合トランジスタが配設される、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/06 ,  H02M 7/48 ,  H03K 17/14 ,  H03K 17/56

FI (10件)：

H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 657 F ,  H02M 7/48 M ,  H02M 7/48 Z ,  H03K 17/14 ,  H01L 25/04 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H03K 17/56 Z