特許

J-GLOBAL ID：201103055599028571

誘電膜製造方法及びその誘電膜製造方法を用いたキャパシタ層形成材の製造方法

発明者： 井手本 康 ,  北村 尚斗 ,  一柳 彰 ,  阿部 直彦
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学 ,  三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 吉村 勝博
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009054955
公開番号（公開出願番号）：WO2009-119358
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

誘電体粒子を含有した誘電体粒子含有スラリーを用いて、泳動電着法で高密度な誘電膜を形成する際の泳動安定性に優れた誘電膜製造方法の提供を目的とする。上記課題を達成するため、誘電体粒子を分散させた誘電体粒子分散スラリー内に、カソード電極とアノード電極とを配置して電解することで、いずれか一方の電極上に誘電膜を形成する泳動電着法を用いた誘電膜製造方法であって、当該誘電体粒子分散スラリーが含有する誘電体粒子は、仮焼成した誘電体粒子であることを特徴とする誘電膜製造方法等を採用する。

請求項（抜粋）：

誘電体粒子分散スラリー内に、カソード電極とアノード電極とを配置して電解することで、いずれか一方の電極上に誘電膜を形成する誘電膜製造方法であって、 当該誘電体粒子分散スラリーが含有する誘電体粒子は、仮焼成した誘電体粒子を用いることを特徴とする誘電膜製造方法。

IPC (3件)：

C25D 13/02 ,  C25D 13/00 ,  H01G 4/12

FI (3件)：

C25D13/02 Z ,  C25D13/00 307D ,  H01G4/12 418

Fターム (1件)：

5E001AJ02