特許

J-GLOBAL ID：201103055774221703

InGaP層又はInAlP層のエピタキシャル成長方法

発明者： 後藤 修 ,  上田 孝 ,  山岸 長保
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202489
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025915
特許番号：特許第3756044号
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】反応器内において、有機金属気相成長法により、下地上にInGaP層をエピタキシャル成長させるに当たり、 III族原料ガスの流量、V族原料ガスの流量、キャリアガスの流量、及び前記反応器内の圧力をそれぞれ調整し、かつ、前記キャリアガスをN2 とすることにより、 前記下地近傍の、前記 III族原料ガス及び前記V族原料ガスが熱分解する領域である境界層における、前記 III族原料ガスと前記V族原料ガスとの中間反応を抑制する ことを特徴とするInGaP層のエピタキシャル成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/40 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 C ,  H01L 31/04 E