固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鷲頭光宏 , 緒方和文 , 黒瀬泰之 , 三谷拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-140592
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287744
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】抵抗値のばらつきが防止された固体メモリを提供する。【解決手段】互いに組成の異なる結晶層1,2を含む複数の結晶層が積層されてなる超格子積層体SLと、超格子積層体SLの積層方向における一方の面SLaに設けられた下部電極3と、超格子積層体SLの積層方向における他方の面SLbに設けられた上部電極4とを備える。超格子積層体SLに含まれる結晶層1は相変化化合物からなる。本発明によれば、電極3,4間にこれらの対向方向に積層された超格子積層体SLが挟み込まれていることから、電極3,4を介して超格子積層体SLに電気的エネルギーを印加した場合、超格子積層体SLの積層面に対して均一な電気的エネルギーが印加される。このため、情報の書き換えを繰り返しても抵抗値のばらつきが少なく、その結果、安定したデータ読み出しを行うことが可能となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極に挟まれ、互いに組成の異なる第1及び第2の結晶層を含む複数の結晶層が積層されてなる超格子積層体と、を備え前記超格子積層体の少なくとも一部は、前記第1及び第2の結晶層の積層面が前記第1及び第2の電極の対向方向と交差しており、前記超格子積層体に含まれる前記第1の結晶層は、相変化化合物からなることを特徴とする固体メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , G11C 13/00 , H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01L45/00 A

Fターム (15件)：

5F083FZ10 , 5F083JA05 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA10

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