特許
J-GLOBAL ID：201103056037789819
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-266001
公開番号（公開出願番号）：特開平3-126318
特許番号：特許第2825011号
出願日： 1989年10月12日
公開日（公表日）： 1991年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】相補入力信号にベースが応答し、エミッタが共通接続された第1と第2のNPN型トランジスタと、上記第1と第2のNPN型トランジスタの共通接続エミッタにコレクタが接続され、ベースに定電圧が供給され、エミッタが負の第1の電源電圧に接続されて、定電流源として動作する第3のNPN型トランジスタと、上記第1のNPN型トランジスタのコレクタの信号にベースが応答する第4のNPN型トランジスタと、上記第2のNPN型トランジスタのコレクタの信号にベースが応答し、エミッタが上記第4のNPN型トランジスタのエミッタと共通接続され、コレクタが第1の外部端子を介して外部接続のレーザーダイオードのカソードに接続される第5のNPN型トランジスタと、上記第4と第5のNPN型トランジスタの共通接続エミッタが接続される第2の外部端子を具備してなり、上記第2の外部端子と上記第1の電源電圧よりさらに負の電圧の第2の電源電圧との間には外部定電流源が外部で接続され、上記レーザーダイオードのアノードは外部で接地電位に接続される半導体集積回路装置であって、上記第4と第5のNPN型トランジスタの各ベースのロウレベル電位あるいは上記第4と第5のNPN型トランジスタの上記共通接続エミッタと上記第2の外部端子との間にコレクタ・エミッタ経路が接続される第6のNPN型トランジスタのベースのバイアス電圧は上記負の第1の電源電圧の電位に設定されることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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