半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-007256
公開番号（公開出願番号）：特開平2-187021
出願日： 1989年01月13日
公開日（公表日）： 1990年07月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶緑膜で被覆された半導体基板の表面をエッチングにより部分的に露出させ、自然酸化膜を除去した後、この半導体基板の表面の露出部分上のみに高融点金属材料薄膜を選択的に形成するようにした半導体装置の製造方法において、上記高融点金属材料薄膜を形成する反応室と同一反応室内において、上記半導体基板の温度を室温乃至80°Cに保持し、上記半導体基板の表面の露出部分に上記エッチングにより生じたダメージ層を、六弗化硫黄ガスに不活性ガスを添加した混合ガスを用いてエッチングして除去し、続いて、上記半導体基板を大気にさらすことなく上記半導体基板の表面の露出部分上に上記高融点金属材料薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：