電波暗室の電磁シールド形成方法、及びこれに使用するシールド基体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上春季
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135977
特許番号：特許第3467550号
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】導電性の材料よりなるシールド板の端部を溶接し電波暗室の電磁シールドを形成する方法において、シールド基体の対向する端辺に立上幅を変えて二対の脇板を形成すると共に、隣接するシールド基体の基面がほぼ同一面で、かつ、立上幅が異なる脇板となるようにシールド基体を配置し、短い立上幅の脇板端部と他の脇板側面間で溶接し、脇板同士を溶接することを特徴とする電波暗室の電磁シールド形成方法。

IPC (3件)：