特許
J-GLOBAL ID：201103056196416217
マイクロ構造体の製造方法および放射線吸収格子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-028177
公開番号（公開出願番号）：特開2011-162854
出願日： 2010年02月10日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】点光源のX線源を用いても、X線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第1のメッキ層を形成する工程と、前記第1のメッキ層の上に、応力を発生する第2のメッキ層を形成し、前記第2のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第1のメッキ層を形成する工程と、前記第1のメッキ層の上に、応力を発生する第2のメッキ層を形成し、前記第2のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有することを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。
IPC (4件)：
C25D 5/10
, C25D 7/00
, C25D 5/50
, B81C 99/00
C25D5/10
, C25D7/00 Y
, C25D5/50
, B81C5/00
3C081AA17
, 3C081BA09
, 3C081BA72
, 3C081CA14
, 3C081CA30
, 3C081DA03
, 3C081EA00
, 4K024AA03
, 4K024AA11
, 4K024AB02
, 4K024AB08
, 4K024BA00
, 4K024CA01
, 4K024CA02
, 4K024CA06
, 4K024DB09
, 4K024DB10
, 4K024GA16
