特許

J-GLOBAL ID：201103056426673249

サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法

発明者： 村上 健介 ,  中山 直人 ,  山崎 智幸 ,  石田 誠 ,  河野 剛士 ,  池戸 昭仁
出願人/特許権者： 日置電機株式会社 ,  国立大学法人豊橋技術科学大学
代理人 (1件)： 大原 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-277162
公開番号（公開出願番号）：特開2011-117883
出願日： 2009年12月07日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】熱電対の集積密度を高めることができ、かつ、高感度化をも実現し得る構成を備えたサーモパイル型赤外線検知素子を提供する。【解決手段】シリコン基板20の冷接点35側となる一方の表面に不純物をドープして複数の拡散層21を形成し、各拡散層21上にVLS成長法によりシリコン針31を成長させ、シリコン針31の上端部(温接点34)を除いて各シリコン針31に絶縁膜32を形成し、各シリコン針31の上端部から絶縁膜32に沿って隣接する他の拡散層21の一部にかけて熱電対材料33を形成することにより、隣接する熱電対同士を直列に電気的に接続し、シリコン針31の上端部の温接点34上に赤外線吸収膜41を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に形成されている複数の熱電対を直列に接続してなるサーモパイル型赤外線検知素子において、 上記基板がシリコン基板であり、上記シリコン基板の冷接点側となる一方の面側に形成された複数の拡散層と、VLS成長法により上記各拡散層上に針状に形成され温接点側の上端部を除いて絶縁膜により覆われている複数のシリコン針と、上記各シリコン針の上端部から上記絶縁膜に沿って隣接する他の拡散層の一部と接触するように形成された熱電対材料と、上記シリコン針の上端部側の上記各熱電対材料上に絶縁膜を介して形成された赤外線吸収膜とを含むことを特徴とするサーモパイル型赤外線検知素子。

IPC (3件)：

G01J 1/02 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

G01J1/02 C ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34

Fターム (4件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065CA13